PECVD

适用工艺：PECVD满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。

  PECVD系统性能特点：
  结构形式：1—4管卧式热壁型
  硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
  温度范围：300～1100℃
  恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
  淀积薄膜均匀性： 片内±5％      片间±5％      批间±5％
  沉积膜厚度：600～1 5000A
  系统极限真空度：优于1Pa
  工作压力范围：20～133Pa闭环控制
  控制方式：工业微机
  送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
  淀积薄膜分类：Si 3N4、Si02、PSG、Pply-Si膜
  真空泵：罗茨泵、机械泵
  工艺气路：5路气／管。VCR接口
  40KFIz脉宽调制AE高频电源
  装片量：200片／舟 

友情提示：以上产品均为非标类产品，均可根据客户要求进行定制，因每家要求各不相同，

因此产品只以一张图片举例，并未全部列出。本公司兼营进口设备仿制业务，欢迎来电垂询。

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